上海川土微电子申请双向栅控可控硅结构专利，解决现有可控硅结构维持电压低和电流泄放效率低的问题

金融界 2025 年 4 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，上海川土微电子有限公司申请一项名为“一种双向栅控可控硅结构”的专利，公开号 CN 119789534 A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种双向栅控可控硅结构，包括第一 P 型外延层、第二 P 型外延层、层叠设置的第一 N 型深 well 掺杂类型阱区和第一 N 型 well 掺杂类型阱区；第一 P 型外延层上提供有第一 P 型高压掺杂类型阱区，第一 P 型高压掺杂类型阱区的一侧内部提供有第一 P 型 well 掺杂类型阱区，第一 P 型高压掺杂类型阱区的另一侧顶端被提供有第一 P 型重掺杂有源区，第一 P 型 well 掺杂类型阱区顶端提供有多组并列设置的第二 P 型重掺杂有源区和第一 N 型重掺杂有源区，且第一 P 型重掺杂有源区和多组并列设置的第一 P 型重掺杂有源区和第一 N 型重掺杂有源区隔离设置。本发明的环状栅控的结构来将载子运输路径调整到更深层次，解决了现有的可控硅结构维持电压低和电流泄放效率低的问题。

天眼查资料显示，上海川土微电子有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本1902.787万人民币，实缴资本1902.787万人民币。通过天眼查大数据分析，上海川土微电子有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息112条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自：金融界

作者：情报员