深圳市冠禹半导体申请双输入GaN HEMT器件及其制造方法专利，达到双倍提高器件集成度的效果

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市冠禹半导体有限公司申请一项名为“种双输入GaN HEMT器件及其制造方法”的专利，公开号CN 119789513 A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，涉及半导体器件技术领域，本发明公开一种双输入GaN HEMT器件及制造方法。包括在衬底上依次外延生长的反向器件区层、共用漏极层和正向器件区层，其中正向器件区层上设有包含表面源极与表面栅极的外输入结构，反向器件区层包含偏向衬底的内输入结构，即内藏源极与内藏栅极，并通过开设导通孔实现内外输入信号的有效传输。本发明达到双倍提高器件集成度、优化信号处理性能以及增强器件可靠性的效果。

天眼查资料显示，深圳市冠禹半导体有限公司，成立于2017年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币，实缴资本174万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市冠禹半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息19条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可6个。

本文源自：金融界

作者：情报员