中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，减少第一沟道区表面对电子的散射提高器件性能

金融界2025年4月29日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN119894047A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：衬底包括基底、位于基底上的第一鳍部和第二鳍部，第一鳍部包括第一沟道区，第二鳍部包括第二沟道区；在衬底表面形成隔离结构，隔离结构暴露出第一沟道区和第二沟道区；对第一沟道区和第二沟道区进行第一等离子体干法刻蚀处理，第一等离子体干法刻蚀处理对第二沟道区的刻蚀量大于对第一沟道区的刻蚀量；在进行第一等离子体干法刻蚀处理之后，对第一沟道区和第二沟道区进行第二等离子体干法刻蚀处理，且在第二等离子体干法刻蚀处理之后，第一沟道区表面的粗糙度降低，第二沟道区表面的粗糙度降低，减少第一沟道区表面的粗糙度，从而减少第一沟道区表面对电子的散射，提高沟道的有效电流以提高器件的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目117次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。

本文源自：金融界

作者：情报员