JCET星科金朋韩国有限公司申请半导体封装件及其制造方法专利，研磨确保导电凸块处于相同高度

金融界2025年4月25日消息，国家知识产权局信息显示，JCET星科金朋韩国有限公司申请一项名为“半导体封装件及其制造方法”的专利，公开号CN119812169A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体封装件及其制造方法。所述方法包含：提供封装衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；将多个导电块安装到所述封装衬底的第一表面上；在所述多个导电块中的每一者上形成至少一个导电凸块；在所述封装衬底的第一表面上形成第一密封剂，以密封所述多个导电块、和所述多个导电块中的每一者上的所述导电凸块；以及研磨所述第一密封剂以移除所述第一密封剂的上部部分、和所述多个导电块中的每一者上的所述导电凸块的上部部分，使得所述多个导电块中的每一者上的所述导电凸块的暴露表面相对于所述封装衬底的第一表面处于相同高度。

本文源自：金融界

作者：情报员