西安龙飞电气申请集成间隔掺杂结构的抗辐照VDMOS器件专利，提升器件的抗辐射能力

金融界2025年4月24日消息，国家知识产权局信息显示，西安龙飞电气技术有限公司申请一项名为“集成间隔掺杂结构的抗辐照VDMOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN119815887A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种集成间隔掺杂结构的抗辐照VDMOS器件及其制备方法，包括：位于外延层中且沿第一方向位于外延层两侧的body区，第一方向垂直于衬底层、缓冲层和外延层的层叠方向；位于body区中的孔掺杂区和源掺杂区；位于外延层中的间隔掺杂注入区，沿第一方向，间隔掺杂注入区位于body区之间，源掺杂区与间隔掺杂注入区的掺杂类型不同，body区、孔掺杂区与间隔掺杂注入区的掺杂类型相同；位于外延层的上表面且下表面与body区、外延层和源掺杂区的部分上表面相接触的栅氧化层，间隔掺杂注入区间隔分布在栅氧化层所在的区域中且不与栅氧化层接触；覆盖栅氧化层上表面的多晶硅层。本发明能提升器件的抗辐射能力。

天眼查资料显示，西安龙飞电气技术有限公司，成立于2013年，位于西安市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙飞电气技术有限公司参与招投标项目27次，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可17个。

本文源自：金融界

作者：情报员