飞锃半导体申请一种半导体结构及其形成方法专利，在优化碳化硅功率器件栅极电容时，对于栅介电层可靠性及器件其他性能的牺牲降至最低

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，飞锃半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119789452 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底中形成有若干第一掺杂区；若干分裂栅结构，位于所述基底表面且横跨相邻第一掺杂区，所述分裂栅结构包括依次位于所述基底表面的第一栅介电层和第一栅电极、贯穿所述第一栅电极且在竖直方向上的投影位于相邻第一掺杂区之间的第一开口、位于所述第一开口底部和侧壁并延伸至部分所述第一栅电极表面的第二栅介电层、覆盖所述第一栅电极和第二栅介电层的第二栅电极。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以在优化碳化硅功率器件栅极电容时，对于栅介电层的可靠性及器件其他性能的牺牲降至最低。

天眼查资料显示，飞锃半导体（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本408.1522万美元。通过天眼查大数据分析，飞锃半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，专利信息102条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自：金融界

作者：情报员