杭州富芯半导体申请薄膜电阻相关专利，有效改善电阻器的电阻温度系数

金融界 2025 年 4 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“一种薄膜电阻的制备方法及半导体器件”的专利，公开号 CN119866177A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种薄膜电阻的制备方法及半导体器件，该薄膜电阻的制备方法包括提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有层间介电层。于层间介电层上形成薄膜电阻层，形成薄膜电阻层的材料中包含金属成分和非金属成分。在形成薄膜电阻层时，控制沉积薄膜电阻层的靶材中金属成分与非金属成分的重量比，使靶材中金属成分的重量占比介于 20％～50％。由此，本发明通过改变靶材中金属成分与非金属成分的重量比，增加靶材中非金属成分的重量比溅射沉积薄膜电阻层，将电阻温度系数向负方向调节，有效改善电阻器的电阻温度系数(TCR)，提高电阻的温度稳定性，同时还能提高薄膜电阻的生产效率并降低生产成本。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息284条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员