安华高科技申请具有增加的操作电压特性的半导体装置专利，提供在更高操作电压方面的优势

金融界 2025 年 4 月 21 日消息，国家知识产权局信息显示，安华高科技股份有限公司申请一项名为“具有增加的操作电压特性的半导体装置”的专利，公开号 CN119855195A，申请日期为 2024 年 9 月。

专利摘要显示，本公开涉及一种具有增加的操作电压特性的半导体装置。一种半导体装置，例如全环绕栅极场效应晶体管 GAAFET，可在更高操作电压方面提供优势。所述半导体装置包含：衬底，其具有 p 型阱、n 型阱及耗尽区；绝缘层，其安置在所述 p 型阱上；第一外延层，其安置在所述绝缘层上；第二外延层，其安置在所述 p 型阱、所述 n 型阱及/或所述耗尽区上；及栅极，其环绕沟道且在所述第一外延层与所述第二外延层之间形成。

本文源自：金融界

作者：情报员