上海瑞能微澜申请沟槽型场效应晶体管及其制造方法专利，沟槽型场效应晶体管的反向导通压降较低

金融界2025年4月23日消息，国家知识产权局信息显示，上海瑞能微澜半导体科技有限公司申请一项名为“沟槽型场效应晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN119815882A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种沟槽型场效应晶体管及其制造方法，沟槽型场效应晶体管，其中，包括外延层、主体层和栅极结构层，主体层和栅极结构层均由外延层的第一表面延伸至外延层内，主体层包括终端结构区、第一导电结构区、阱区和肖特基接触结构，终端结构区朝向第一表面开口并形成导电主体区，第一导电结构区、阱区和部分外延层层叠设于导电主体区，肖特基接触结构由第一表面延伸至导电主体区内并与第一导电结构区和阱区均形成肖特基接触，至少一个栅极结构层设于导电主体区内并与阱区相接触，且任一栅极结构层的两侧均设有肖特基接触结构。本申请的沟槽型场效应晶体管的反向导通压降较低，具有较高的工作效率，以匹配实际使用需求。

天眼查资料显示，上海瑞能微澜半导体科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海瑞能微澜半导体科技有限公司专利信息12条。

本文源自：金融界

作者：情报员