中芯国际申请半导体结构形成专利，减少鳍部内部应力损失

金融界2025年4月21日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“13349.半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN119855226A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底上形成若干初始栅极和初始层间介质层，初始层间介质层位于若干初始栅极侧壁，初始层间介质层包括第一介质层和位于第一介质层上的第二介质层，第二介质层和第一介质层的材料不同，若干初始栅极包括无效区；刻蚀无效区和无效区底部的若干鳍部，在若干鳍部和初始栅极内形成鳍切断槽，鳍切断槽在第二方向上贯穿若干鳍部；在鳍切断槽内形成第二隔离结构；在形成第二隔离结构之后，去除第二介质层；去除第二介质层之后，平坦化第二隔离结构和初始栅极，直到与第一介质层顶部表面齐平，以初始层间介质层形成层间介质层，以初始栅极形成栅极，减少鳍部内部因形成鳍切断槽带来的应力损失。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目117次，财产线索方面有商标信息147条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。

本文源自：金融界

作者：情报员