凤阳硅谷申请高透光型钙钛矿电池结构及其制作方法专利，提高电池透光率

金融界2025年4月18日消息，国家知识产权局信息显示，凤阳硅谷智能有限公司申请一项名为“一种高透光型的钙钛矿电池结构及其制作方法”的专利，公开号CN 119836108 A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明公开一种高透光型的钙钛矿电池结构及其制作方法，包括：前板玻璃，具有相对的入光面和出光面，出光面设有若干凸起；透明导电层，设于出光面；P1激光划道，将透明导电层划断；第一电荷传输层，设于透明导电层上；钙钛矿电池层，设于第一电荷传输层上；第二电荷传输层，设于钙钛矿电池层上；P2激光划道，将第二电荷传输层、钙钛矿电池层及第一电荷传输层划断；背电极层，设于第二电荷传输层上且填充进P2激光划道中与透明导电层电连接；P3激光划道，将背电极层、第二电荷传输层、钙钛矿电池层及第一电荷传输层划断；汇流条，将被凸起隔断的钙钛矿电池层并联；封装胶膜；背板玻璃；丁基胶，设于前板玻璃与背板玻璃之间，隔离外部的水汽。

天眼查资料显示，凤阳硅谷智能有限公司，成立于2017年，位于滁州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10110.15万人民币。通过天眼查大数据分析，凤阳硅谷智能有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目87次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可23个。

本文源自：金融界

作者：情报员