瑞萨,放弃SiC芯片

本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合
有人欢喜有人愁。
日本芯片制造商瑞萨电子已放弃使用新材料生产功率半导体的计划,不再计划于 "2025 年初 " 在其位于群马县高崎的工厂投产。
随着电动汽车需求下滑以及中国芯片制造商在政府补贴的支持下增加产量,这种用于电动汽车的芯片的市场环境变得更加恶化。
瑞萨电子:新业务很难实现收支平衡功率半导体用于控制电压。瑞萨电子原计划生产碳化硅 ( SiC ) 芯片,但今年早些时候解散了高崎工厂的 SiC 芯片生产团队。
瑞萨电子首席执行官柴田英年 ( Hidetoshi Shibata ) 在二月份的一次简报会上表示:" 我们认为(市场状况)极其严峻。"
SiC 能够承受比硅高得多的电流,因此可以使车辆行驶更长时间。尽管预计 SiC 需求长期内将增长,但东京研究公司富士经济 ( Fuji Keizai ) 的数据显示,2024 年 SiC 市场规模仅增长 18%,达到 3910 亿日元(约合 26.9 亿美元),低于 2024 年 2 月预测的 27% 增长至 4915 亿日元。
市场增长低于预期,部分原因是欧洲政府补贴的取消,这导致该地区电动汽车销量放缓。此外,一家半导体贸易公司的代表表示,中国制造商的晶圆和芯片产能过剩,导致碳化硅芯片价格下跌 " 势不可挡 "。另一个打击是,中国汽车制造商正在增加对国产芯片的采购。
此外,预计中长期内与中国竞争对手的降价竞争将会加剧。
在此情况下,作为后来者的瑞萨很难通过生产 SiC 芯片快速获利。
瑞萨电子在其位于山梨县甲斐市和高崎市的工厂生产采用传统硅材料制造的芯片。高崎工厂采用成熟技术,尤其面临来自中国制造商的激烈竞争。因此,该工厂要么停止了部分产品的生产,要么削减了产量。
在政府的资金支持下,甲斐工厂于 2024 年 4 月投产,但尚未开始量产,量产最初计划于 2025 年初进行。目前的计划是等待市场状况复苏。
其他制造商也面临同样的现实。罗姆公司截至今年 3 月的 2024 财年,由于加大对 SiC 半导体的投资,12 年来首次出现净亏损。客户包括特斯拉等的瑞士芯片制造商意法半导体的股价自 2024 年以来已暴跌逾 50%。
据报道,美国碳化硅芯片制造商 Wolfspeed 正准备申请破产保护。瑞萨电子已于 2023 年向 Wolfspeed 支付了 20 亿美元的定金,用于购买未来十年的晶圆,因此人们越来越担心这笔资金将无法收回。
国内 SiC,热火朝天不过,在汽车需求的推动下,国内 SIC 发展越发红火。
5 月 28 日,记者获悉,长飞先进武汉基地一期已实现量产通线,首片 6 寸碳化硅晶圆成功下线。
据悉,长飞先进武汉基地项目总投资 200 亿、占地面积 498 亩,其中一期占地 344 亩,达产后将具备年产 36 万片外延、36 万片 6 寸碳化硅晶圆、6100 万个碳化硅功率模块的制造能力。
长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚告诉《科创板日报》,基地最新下线的 6 英寸碳化硅晶圆的主要应用场景是新能源汽车的主驱," 已通过车规可靠性标准认证,首批良率达到 97%"。
长飞先进此前在安徽已经建设完成具有年产 6 万片碳化硅 MOSFET 晶圆制造能力的芜湖基地,武汉基地是其扩产规划的重要载体。2023 年 8 月,长飞先进与武汉东湖高新区签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议。
" 我们在 2023 年 7 月来武汉考察选址,当时周边还是个村庄,协议签订后得到了各级政府的支持。9 月就开始动工,仅用 21 个月就建成投产,这个速度在其他地方是难以想象的。" 李刚表示。
在规划时,长飞先进瞄准的是高端碳化硅功能器件芯片的国产化。在李刚看来,当前经常提到的 " 碳化硅产能过剩 " 只是集中在低端产能上,真正应用在新能源主驱的国产碳化硅芯片还不到 10%,有着巨大的替代空间。
过去一个月,武汉基地接待了来自全球各地的客户、上下游伙伴。李刚表示," 大家对于武汉基地的量产状态都是比较满意的,目前已经有客户的产品在做验证,可能过几个月就能正式进入量产阶段。"
现阶段,武汉基地的核心工作是尽快完成产能爬坡,据李刚估计,到今年年底月产能可以达到 3500 片。
除了目前下线的首款晶圆之外,长飞先进武汉基地还有8 款产品正在验证阶段,年底有望达到12 款,项目满产后可满足 144 万辆新能源汽车对高端芯片的需求。