佛山市国星半导体申请高亮度倒装 LED 芯片及其制备方法专利，提高整体亮度

金融界 2025 年 4 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司申请一项名为“一种高亮度倒装 LED 芯片及其制备方法”的专利，公开号 CN119812171A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高亮度倒装 LED 芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：在具有多个倒装 LED 芯片主体的晶圆的出光面上沉积形成反射基础层；在反射基础层的表面刻蚀形成多个凹槽结构，凹槽结构和倒装 LED 芯片主体一一对应，凹槽结构的槽壁作为反射围墙，凹槽结构的槽底区域作为增透区；沿着反射围墙的表面沉积形成反射金属膜；沿着反射金属膜和增透区的表面沉积形成光筛层；在增透区中的光筛层上刻蚀形成多个圆孔，显露出增透区的表面。本发明通过在芯片的出光面上形成反射围墙、增透区、反射金属膜和带圆孔的光筛层，不仅能够有效减少侧面漏光，而且能够提高轴向出光效率，从而有利于提高整体亮度。

天眼查资料显示，佛山市国星半导体技术有限公司，成立于2011年，位于佛山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本82000万人民币。通过天眼查大数据分析，佛山市国星半导体技术有限公司参与招投标项目114次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息424条，此外企业还拥有行政许可22个。

本文源自：金融界

作者：情报员