上海韦尔半导体取得一种 MOSFET 版图及 MOSFET 器件专利，调节实际沟槽栅极的电压

金融界 2025 年 4 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司取得一项名为“一种 MOSFET 版图及 MOSFET 器件”的专利，授权公告号 CN222776520U，申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示，本申请提供了一种 MOSFET 版图及 MOSFET 器件，本申请在第三栅极金属连接区设置有栅极电阻调节区，可以通过版图结构优化，调节不同沟槽栅极多晶硅分压，从而调节实际沟槽栅极的电压。

天眼查资料显示，上海韦尔半导体股份有限公司，成立于2007年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本121442.6982万人民币。通过天眼查大数据分析，上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了44家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息23条，专利信息187条，此外企业还拥有行政许可13个。

本文源自：金融界

作者：情报员